[实用新型]一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置

说明书

本实用新型公开了一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置，设计真空度测量技术领域，包括反应腔室、第一移动机构、第二驱动机构和用于测量反应腔室内真空度的真空测量件；通过第一驱动机构使得真空测量件沿安装轴的轴向运动，即可测量出离沉积反应不同高度处的真空度；通过第二驱动机构使得真空测量件沿垂直于安装轴轴线的方向运动，即可测量出与沉积反应同一高度，不同距离处的真空度。本实用新型具有可测量出不同位置处的真空度，提高控制压力区间的准确度的特点。

技术领域

本实用新型涉及真空度测量技术领域，特别是一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置。

背景技术

化学气相沉积(CVD)是指化学气体或蒸汽在基质表面反应合成涂层或纳米材料的方法，是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，例如沉积氮化硅(Si3N4)膜就是由硅烷和氮反应形成的；在CVD过程中，反应腔室内的压力是影响沉积参数的重要因素之一，因此通常会使用真空规对反应腔室内的真空度进行测量。

目前，现有的CVD碳化硅反应腔室中，真空规通常尽可能的固定于靠近反应腔室中部的样品台处，然而反应腔室中各个位置真空度往往具有差异，因此测出来的真空度在对工艺压力控制的时候难以准确的控制压力区间。

实用新型内容

本实用新型的目的在于克服现有技术的缺点，提供一种可测量出不同位置处的真空度，提高控制压力区间的准确度。

本实用新型的目的通过以下技术方案来实现：

一种CVD碳化硅反应腔室真空度测量装置，包括：

反应腔室，所述反应腔室可拆卸连接有用于密封的顶盖。

第一移动机构，所述第一移动机构包括安装轴、第一驱动件和安装板，所述安装轴穿过所述顶盖伸入所述反应腔室内，所述第一驱动件安装于所述安装板上，所述安装板可沿垂直于所述安装轴的轴线方向滑动地设置于所述顶盖上。

所述安装轴位于所述反应腔室外的一端穿过所述安装板，所述安装轴位于所述反应腔室内的一端与所述第一驱动件连接，以驱使所述安装轴沿其轴线方向运动。

用于测量所述反应腔室内真空度的真空测量件，所述安装轴设有贯穿两端的空腔，所述真空测量件设置于所述安装轴的空腔内。

第二驱动机构，所述第二驱动机构包括第二驱动件和安装支架，所述第二驱动件与所述安装板连接，以驱使所述安装板滑动，所述安装支架固定连接在所述顶盖上，所述第二驱动件安装在所述安装支架上。

所述顶盖设有避让槽，所述避让槽的顶部设有密封板，所述密封板套接于所述安装轴和所述第一驱动件上，且与所述安装板通过连接件固定连接。

优选地，所述安装板通过导轨安装在所述顶盖上。

优选地，所述安装轴位于所述反应腔室内的一端固定连接有端盖，所述真空测量件穿设与所述端盖上。

优选地，所述真空测量件为真空规。

优选地，所述避让槽的顶部四周设有第一密封槽，所述第一密封槽内设有第一密封垫。

优选地，所述密封板与所述安装轴套接处设有第二密封槽，所述第二密封槽内设有第二密封垫，所述密封板与所述第一驱动件套接处设有第三密封槽，所述第二密封槽内设有第三密封垫。

优选地，所述第一驱动件和所述第二驱动件为气缸、油缸或电动推杆。

本实用新型具有以下优点：本实用新型通过第一驱动机构使得真空测量件沿安装轴的轴向运动，即可测量出离沉积反应不同高度处的真空度；通过第二驱动机构使得真空测量件沿垂直于安装轴轴线的方向运动，即可测量出与沉积反应同一高度，不同距离处的真空度，从而达到测量出更多的、不同位置处的真空度，以提高在对工艺压力控制的时候控制压力区间的准确度。