[发明专利]集成电路结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011634719.2 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113451306A | 公开（公告）日： | 2021-09-28 |
| 发明（设计）人： | 萧锦涛;曾健庭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | IC结构包括在第一方向上延伸的第一单元行和第二单元行。第一单元行包括：第一单元，每个包括具有第一导电类型的第一源极/漏极区域的一个或多个第一鳍和具有与第一导电类型相反的第二导电类型的第二源极/漏极区域的一个或多个第二鳍。第二单元行包括：第二单元，每个包括具有第一导电类型的第三源极/漏极区域的一个或多个第三鳍和具有第二导电类型的第四源极/漏极区域的一个或多个第四鳍。第一单元具有相同的第一数量的一个或多个第一鳍，并且第二单元具有小于第一数量的一个或多个第一鳍的相同的第二数量的一个或多个第三鳍。本申请的实施例还涉及形成IC结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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