[发明专利]一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法在审
| 申请号： | 202011631832.5 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112608158A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 邰召山 | 申请（专利权）人： | 兆山科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/64 | 分类号： | C04B35/64;C04B35/565;C04B35/622 |
| 代理公司： | 杭州君度专利代理事务所(特殊普通合伙) 33240 | 代理人： | 乐俊 |
| 地址： | 101300 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高性能的碳化硅陶瓷材料低温烧结方法，步骤如下：制备烧结助剂，所述烧结助剂由锌h和氟硅酸锌组成；称取碳化硅和烧结助剂，球磨混合获，然后进行负压蒸干后，粉碎，过筛，并模压成型，获得坯体；将坯体送入气氛烧结炉中，升温至460‑470℃，保温2‑3h，然后向气氛烧结炉内通入空气，升温至1800‑1940℃，保温2‑3h，随炉冷却后，即可。本发明制备的碳化硅陶瓷材料致密度良好，且具有良好的抗弯强度，烧结温度低，降低了制造过程中的能耗，能够满足市场需求，具有广阔的市场前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 性能 碳化硅 陶瓷材料 低温 烧结 方法 | ||
【主权项】：
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