[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202011628867.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN113380886A | 公开（公告）日： | 2021-09-10 |
| 发明（设计）人： | 朱龙琨;黄懋霖;徐崇威;余佳霓;江国诚;程冠伦;王志豪 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本发明的半导体器件包括：源极部件和漏极部件；多个半导体纳米结构，在源极部件和漏极部件之间延伸；栅极结构，包裹多个半导体纳米结构中的每个；底部介电层，位于栅极结构和漏极部件上方；背侧电源轨，设置在底部介电层上方；以及背侧源极接触件，设置在源极部件和背侧电源轨之间。背侧源极接触件延伸穿过底部介电层。本申请的实施例还涉及形成半导体器件的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
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