[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

源极部件和漏极部件；

多个半导体纳米结构，在所述源极部件和所述漏极部件之间延伸；

栅极结构，包裹所述多个半导体纳米结构中的每个；

底部介电层，位于所述栅极结构和所述漏极部件上方；

背侧电源轨，设置在所述底部介电层上方；以及

背侧源极接触件，设置在所述源极部件和所述背侧电源轨之间，

其中，所述背侧源极接触件延伸穿过所述底部介电层。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述底部介电层包括氮化硅、氧化钛、氧化铝、氧化铪或氧化锆。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

硅化物层，夹在所述背侧源极接触件和所述源极部件之间，

其中，所述硅化物层包括硅化钨、硅化钴、硅化镍或硅化钛。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

底部覆盖层，位于所述底部介电层和所述漏极部件之间。

5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述底部覆盖层在所述底部介电层和所述栅极结构之间延伸。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述背侧源极接触件延伸穿过所述底部覆盖层。

7.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述底部覆盖层包括硅。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

外延部件，位于所述多个半导体纳米结构的每个和所述源极部件之间，

其中，所述外延部件的组成与所述源极部件的组成不同。

9.一种半导体器件，包括：

源极部件和漏极部件；

多个半导体纳米结构，在所述源极部件和所述漏极部件之间延伸；

栅极结构，包裹所述多个半导体纳米结构中的每个；

底部介电层，位于所述栅极结构和所述漏极部件上方；以及

背侧电源轨，设置在所述底部介电层上方，

其中，所述背侧电源轨通过所述底部介电层与所述漏极部件隔离，

其中，所述背侧电源轨电耦接至所述源极部件。

10.一种形成半导体器件的方法，包括：

接收工件，所述工件包括：

衬底，

底部牺牲层，设置在所述衬底上方，

底部覆盖层，设置在所述底部牺牲层上方，以及

堆叠件，位于所述底部覆盖层上方，所述堆叠件包括由多个牺牲层交错的多个沟道层；

由所述衬底、所述底部牺牲层、所述底部覆盖层和所述堆叠件形成鳍形结构；

在所述鳍形结构的沟道区域上方形成伪栅极堆叠件；

在所述鳍形结构的源极区域上方形成源极凹槽，并且在所述鳍形结构的漏极区域上方形成漏极凹槽；

选择性蚀刻所述源极区域，以使所述源极凹槽延伸穿过所述底部覆盖层和所述底部牺牲层，以暴露所述衬底，从而形成源极接入开口；

在所述源极接入开口中沉积第一外延层；

在沉积所述第一外延层之后，形成第二外延层，以在所述源极凹槽中形成源极部件，并且在所述漏极凹槽中形成漏极部件；

去除所述伪栅极堆叠件；

选择性去除所述沟道区域和所述底部牺牲层中的多个牺牲层，以释放所述多个沟道层作为多个沟道构件；

在所述衬底和所述底部覆盖层之间形成底部介电层；

围绕所述多个沟道构件中的每个形成栅极结构；

选择性蚀刻所述源极接入开口中的所述第一外延层，以暴露背侧源极接触开口中的所述源极部件；以及

在所述背侧源极接触开口中形成背侧源极接触件。