[发明专利]一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法在审

专利信息
申请号: 202011615714.5 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112782876A 公开(公告)日: 2021-05-11
发明(设计)人: 傅力;潘昊;李林松;丁丽;黄晓东 申请(专利权)人: 武汉光迅科技股份有限公司
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035;G02F1/03;G02B6/136;G02B6/134;G02B6/13
代理公司: 深圳市爱迪森知识产权代理事务所(普通合伙) 44341 代理人: 何婷
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明涉及光纤通信和传感技术领域,特别是涉及一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法,铌酸锂调制器芯片的制作方法包括:在铌酸锂基片上表面制作一层掩膜;在所述掩膜上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩膜窗口,并在所述光波导掩膜窗口内的铌酸锂基片上表面制作光波导;在所述光波导两侧分别制作金属电极,并对所述铌酸锂基片的光输入面、光输出面以及±Z面进行切割,形成铌酸锂调制器芯片;在铌酸锂调制器芯片的±Z面分别制作导电薄膜,并在铌酸锂调制器芯片的下表面制作导电涂覆层,使±Z面的导电薄膜通过所述导电涂覆层连接导通。本方案可有效降低变温过程中铌酸锂晶体热释电效应对铌酸锂调制器性能的影响,提高铌酸锂调制器的全温性能。
搜索关键词: 一种 铌酸锂 调制器 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉光迅科技股份有限公司,未经武汉光迅科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011615714.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top