[发明专利]一种铌酸锂调制器芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种铌酸锂调制器芯片，其特征在于，包括铌酸锂基片(1)；

所述铌酸锂基片(1)的上表面制作有光波导(3)和金属电极(4)；

所述铌酸锂基片(1)的±Z面分别制作有导电薄膜(5)；

所述铌酸锂基片(1)的下表面设有导电涂覆层(6)，使得所述铌酸锂基片(1)的±Z面的导电薄膜(5)通过所述导电涂覆层(6)连接导通。

2.根据权利要求1所述的铌酸锂调制器芯片，其特征在于，所述导电薄膜(5)为C膜或者ITO膜。

3.根据权利要求1所述的铌酸锂调制器芯片，其特征在于，所述导电涂覆层(6)为碳导电胶。

4.一种铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，包括：

在铌酸锂基片(1)上表面制作一层掩膜(2)；

在所述掩膜(2)上沿Y轴方向刻蚀出光波导掩膜窗口，并在所述光波导掩膜窗口内的铌酸锂基片(1)上表面制作光波导(3)；

在所述光波导(3)两侧分别制作金属电极(4)，并对所述铌酸锂基片(1)的光输入面、光输出面以及±Z面进行切割，形成铌酸锂调制器芯片；

在所述铌酸锂调制器芯片的±Z面分别制作导电薄膜(5)，并在所述铌酸锂调制器芯片的下表面制作导电涂覆层(6)，使±Z面的导电薄膜(5)通过所述导电涂覆层(6)连接导通。

5.根据权利要求4所述的铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，所述掩膜(2)为SiO₂掩膜或者Si₃N₄掩膜。

6.根据权利要求4所述的铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，采用退火质子交换法在所述铌酸锂基片(1)上表面制作光波导(3)。

7.根据权利要求4所述的铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，所述铌酸锂基片(1)为X切铌酸锂基片，所述光波导(3)为X切Y传光波导。

8.根据权利要求4-7任一所述的铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，所述导电薄膜(5)为C膜或者ITO膜。

9.根据权利要求4-7任一所述的铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，采用溅射法、电子束蒸发或离子镀的方法在所述铌酸锂调制器芯片的±Z面分别制作导电薄膜(5)。

10.根据权利要求4-7任一所述的铌酸锂调制器芯片的制作方法，其特征在于，所述导电涂覆层(6)为碳导电胶。