[发明专利]一种半导体芯片的制造方法有效
| 申请号： | 202011608658.2 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112735954B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 毛宗谦;杨勇 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇德科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/06;H01L29/786 |
| 代理公司： | 深圳市中融创智专利代理事务所(普通合伙) 44589 | 代理人： | 叶垚平;李立 |
| 地址： | 518131 广东省深圳市龙华*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请具体公开了一种半导体芯片的制造方法，该方法包括：在第一导电类型的衬底表面生长外延层；在第一导电类型的外延层的表层形成第二导电类型的掺杂区；在第一导电类型的外延层之中形成沟槽；生长第一氧化层；去除沟槽之外的第一氧化层，并去除沟槽之中的一部分第一氧化层；生长第二氧化层，第二氧化层覆盖于沟槽的侧壁和第二导电类型的扩散区的上方；在沟槽的侧壁注入掺杂形成第一导电类型的掺杂区；淀积多晶硅并去除沟槽之外的多晶硅，保留沟槽之中的多晶硅；在第二导电类型的扩散区的表层之中注入掺杂然后退火形成第一导电类型的扩散区；形成接触孔、金属电极和压焊窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 芯片 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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