[发明专利]一种半导体芯片的制造方法

权利要求书

1.一种半导体芯片的制造方法，其特征在于，包括：

在第一导电类型的衬底(1)表面生长外延层(2)；

在第一导电类型的外延层(2)的表层之中形成第二导电类型的掺杂区(3)；

在第一导电类型的外延层(2)之中形成沟槽(5)，第二导电类型的掺杂区(3)之中的掺杂物在形成沟槽的过程中发生热扩散形成第二导电类型的扩散区(4)；

生长第一氧化层(6)，第一氧化层(6)将沟槽(5)填满并覆盖到第二导电类型的扩散区(4)的上方；

去除沟槽(5)之外的第一氧化层(6)，并去除沟槽(5)之中的一部分第一氧化层(6)，在沟槽(5)的底部保留预设厚度的第一氧化层(6)；

生长第二氧化层(7)，第二氧化层(7)覆盖于沟槽(5)的侧壁和第二导电类型的扩散区(4)的上方；

在沟槽(5)的侧壁注入掺杂形成第一导电类型的掺杂区(8)；

淀积多晶硅并去除沟槽(5)之外的多晶硅，保留沟槽之中的多晶硅(9)；

在第二导电类型的扩散区(4)的表层之中注入掺杂然后退火形成第一导电类型的扩散区(10)；

形成接触孔、金属电极和压焊窗口；

其中，第一导电类型的衬底(1)的背面为MOSFET的漏极，第二导电类型的扩散区(4)为MOSFET的体区，第一导电类型的掺杂区(8)为MOSFET的导电沟道，第一导电类型的扩散区(10)为MOSFET的源极，位于沟槽侧壁的第二氧化层(7)为MOSFET的栅氧化层，沟槽之中的多晶硅(9)为MOSFET的栅极；所述第二导电类型的扩散区(4)的下表面高于所述第一氧化层(6)的上表面的高度；所述第二氧化层(7)的厚度小于所述沟槽的底部保留的第一氧化层的厚度。

2.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第一导电类型为N型，所述第二导电类型为P型；或所述第一导电类型为P型，所述第二导电类型为N型。

3.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述生长第一氧化层的工艺方法为化学气相淀积的工艺方法。

4.根据权利要求3所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述生长第一氧化层的工艺方法为高密度等离子体化学气相淀积的工艺方法。

5.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述生长第二氧化层的工艺方法为高温氧化的工艺方法。

6.根据权利要求5所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述高温氧化的工艺方法的工艺温度在950-1150℃之间。

7.根据权利要求1所述的半导体芯片的制造方法，其特征在于，所述第二氧化层(7)的厚度为15-120nm。