[发明专利]复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频声表面波器件在审
| 申请号： | 202011605562.0 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112671363A | 公开（公告）日： | 2021-04-16 |
| 发明（设计）人： | 李真宇;杨超;李洋洋;张秀全;刘阿龙;韩智勇 | 申请（专利权）人： | 济南晶正电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03H3/02 | 分类号： | H03H3/02;H03H9/02;H03H9/17 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 逯长明;许伟群 |
| 地址： | 250100 山东省济南市高新区港*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本申请提供一种复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频声表面波器件，其中，所述复合衬底从下至上依次包括衬底层和多晶层；所述多晶层包括晶粒渐变层和晶粒均匀层；其中，所述晶粒渐变层中的晶粒呈柱状结构，所述柱状结构的晶粒由所述衬底层向所述晶粒均匀层方向逐渐变大。本申请在衬底层上生长晶粒渐变层，晶粒渐变层中的柱状晶粒的密度充足，同时能够分散晶粒均匀层高温冷却后产生较大的应力，避免较大的应力作用于衬底层和晶粒均匀层而导致化学键断裂产生的层间间隙，晶粒均匀层靠近衬底层的表面上具有密集的载流子陷阱，增强限制载流子移动的效果，从而提高界面电阻率，减少射频声表面波器件的射频损耗，提高射频声表面波器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 衬底 薄膜 及其 制备 方法 射频 表面波 器件 | ||
【主权项】：
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