[发明专利]复合衬底、复合薄膜及其制备方法，及射频声表面波器件

权利要求书

1.一种复合衬底，其特征在于，所述复合衬底从下至上依次包括衬底层(110)和多晶层(120)；所述多晶层(120)包括晶粒渐变层(1201)和晶粒均匀层(1202)；

其中，所述晶粒渐变层(1201)中的晶粒呈柱状结构，所述柱状结构的晶粒由所述衬底层(110)向所述晶粒均匀层(1202)方向逐渐变大。

2.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述晶粒渐变层(1201)中柱状结构晶粒垂直于所述衬底层(110)方向的高度和平行于所述衬底层(110)方向的宽度的比值大于2，且平行于所述衬底层(110)的方向的宽度小于200nm。

3.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述晶粒渐变层(1201)的厚度范围为10nm-500nm。

4.根据权利要求1所述的复合衬底，其特征在于，所述多晶层(120)为多晶硅或多晶锗。

5.一种复合薄膜，其特征在于，所述复合薄膜从下到上依次包括如权利要求1-4任一项所述的复合衬底、隔离层(130)以及功能薄膜层(140)；其中，所述隔离层(130)做平坦化处理，且与所述功能薄膜层(140)键合。

6.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述隔离层(130)为二氧化硅、氧化钛、氧化锗、氮化硅以及氮氧化硅中的一种。

7.根据权利要求5所述的复合薄膜，其特征在于，所述功能薄膜层(140)为铌酸锂晶体、钽酸锂晶体、磷酸钛氧铷晶体、磷酸钛氧钾晶体、硅晶体、锗晶体或砷化镓晶体。

8.一种射频声表面波器件，其特征在于，包括如权利要求5-7任一项所述的复合薄膜。

9.一种复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

对衬底层进行清洗，获得具有洁净表面的衬底层；

将具有洁净表面的衬底层置于沉积炉中，加热至第一温度，所述第一温度低于柱状结构晶体的生长温度；

在沉积炉中通入气体并继续提高温度至第二温度，获得多晶层；

在所述多晶层上生长隔离层，对所述隔离层进行平坦化处理；

在所述隔离层上制备功能薄膜层，得到复合薄膜。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述气体为SiH₄或SiH₄、H₂的混合气体。

11.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，所述第一温度的范围为500℃-600℃，所述第二温度的范围为610℃-640℃。

12.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，利用离子注入法结合键合分离法，或者，利用键合法结合研磨抛光法，在所述隔离层上制备所述功能薄膜层。