[发明专利]一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件在审
| 申请号： | 202011599765.3 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695507A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 钱洪途;裴轶;张晖 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/20;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 孟金喆 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种半导体器件的外延结构及其制备方法、半导体器件，外延结构包括衬底以及位于衬底一侧的半导体层；半导体层至少包括层叠设置于衬底一侧的缓冲层和阻挡层；阻挡层的禁带宽度大于缓冲层的禁带宽度，至少缓冲层以及阻挡层中注入有离子，阻挡层中离子的注入浓度小于缓冲层中离子的注入浓度。应用该外延结构的半导体器件可以在降低漏电的同时，保证电子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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