[发明专利]一种磁性结构和自旋转移矩-磁随机存储器及其写入方法在审
| 申请号： | 202011586913.8 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112701217A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 闵泰;周雪;郭志新;李桃 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 覃婧婵 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种铁电辅助电场调控人工反铁磁自由层的磁性结构及自旋转移矩‑磁随机存储器(STT‑MRAM)，涉及磁性/铁磁/铁电材料或结构的电路和器件及其应用领域。磁性结构包括：一个能产生稳定极化电场和电荷转移效应的铁电层和一个电场调控的基于人工反铁磁自由层的磁性隧道结。其中人工反铁磁自由层可在铁电极化电场辅助调控下实现反铁磁耦合与铁磁耦合的转变，降低了写入电流密度，节约能耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 结构 自旋 转移 随机 存储器 及其 写入 方法 | ||
【主权项】：
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