[发明专利]一种羧酸修饰的羟基磷灰石纳米材料的制备方法及应用有效
| 申请号： | 202011586448.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112744799B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 王耀;朱巍;张毅晨;王佳斌;牛佳悦 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃智能液晶科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B25/32 | 分类号： | C01B25/32;C08J3/12;C08L87/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215500 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种羧酸修饰的羟基磷灰石纳米材料的制备方法，包括如下步骤：将钙盐、有机羧酸及磷盐溶解于溶剂中，充分搅拌，混合均匀后，将混合溶液进行加热反应，冷却后，离心洗涤，得到羧酸修饰的羟基磷灰石纳米材料。该方法工艺简单，成本低，能够实现原位一步法在羟基磷灰石纳米棒表面修饰有机羧酸分子，克服了二次修饰羟基磷灰石存在的技术缺陷。由本方法制备出的羧酸修饰的羟基磷灰石纳米材料可应用于制备以羟基磷灰石纳米材料为内核、羧酸类配位聚合物为外壳的核壳型复合材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 羧酸 修饰 羟基 磷灰石 纳米 材料 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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