[发明专利]侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法有效
| 申请号: | 202011566704.7 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN112670371B | 公开(公告)日: | 2023-01-20 |
| 发明(设计)人: | 董慧;颜伟;黄镇;李兆峰;王晓东;杨富华 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/112 |
| 代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 鄢功军 |
| 地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法及其侧栅晶体管太赫兹探测器,其中,该方法包括:在衬底上制作源电极和漏电极;在衬底和源电极、漏电极上旋涂抗蚀剂,并利用曝光技术去除掉部分抗蚀剂,露出部分衬底,形成台面抗蚀剂掩膜;根据台面抗蚀剂掩膜,刻蚀预设深度的部分衬底,形成衬底的台面;在台面抗蚀剂掩膜和衬底上制作栅极图像并形成栅电极;去除台面抗蚀剂掩膜,同时剥离台面抗蚀剂掩膜上的顶栅,在台面的两侧形成双栅电极;在衬底、源电极、漏电极和双栅电极表面制作天线图形,并形成天线及引线,得到侧栅晶体管太赫兹探测器。 | ||
| 搜索关键词: | 晶体管 赫兹 探测器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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