[发明专利]侧栅晶体管太赫兹探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种侧栅晶体管太赫兹探测器的制备方法，包括：

在衬底上制作源电极和漏电极；

在所述衬底和所述源电极、所述漏电极上旋涂抗蚀剂，并利用曝光技术去除掉部分所述抗蚀剂，露出部分衬底，形成台面抗蚀剂掩膜；

根据所述台面抗蚀剂掩膜，刻蚀预设深度的所述部分衬底，形成所述衬底的台面；

在所述台面抗蚀剂掩膜和所述衬底上制作栅极图像并形成栅电极；

去除所述台面抗蚀剂掩膜，同时剥离所述台面抗蚀剂掩膜上的顶栅，在所述台面的两侧形成双栅电极；

在所述衬底、所述源电极、所述漏电极和所述双栅电极表面制作天线图形，并形成所述天线及引线，得到侧栅晶体管太赫兹探测器。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述在衬底上制作源电极和漏电极包括：

在所述衬底上旋涂第一光刻胶，并利用微纳加工技术去除掉部分第一光刻胶，形成源区图形和漏区图形；

在剩余第一光刻胶和所述源区图形、所述漏区图形上沉积金属层；

去除所述剩余第一光刻胶，同时剥离所述源区图形和所述漏区图形区域外沉积的所述金属层，快速热退火形成源电极和漏电极。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其中，所述衬底材料包括以下之一：硅、锗、碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟；所述第一光刻胶为电子束胶或紫外光刻胶。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述曝光技术包括以下之一：电子束曝光、离子束曝光、X射线曝光、全息式曝光、光学接触式曝光、光学投影式曝光。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述预设深度为1nm～10μm。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述在所述台面抗蚀剂掩膜和所述衬底上制作栅极图像并形成栅电极包括：

在所述台面抗蚀剂掩膜和所述衬底上旋涂第二光刻胶，并利用微纳加工技术去除掉部分第二光刻胶，制作栅极图形；

在剩余第二光刻胶上和所述栅极图形上沉积栅极金属层；

去除所述剩余第二光刻胶同时剥离所述栅极图形区域外沉积的所述栅极金属层，得到栅电极。

7.根据权利要求2或6所述的制备方法，其中，所述沉积的方式包括：热蒸发、电子束蒸发、磁控溅射；所述金属层的材料包括以下一种或多种的组合：Ti、Al、Ni、Mo、Pt、Au、Pd、W。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述刻蚀的方法包括以下之一：电感耦合等离子体刻蚀、反应离子束刻蚀、离子束刻蚀、湿法腐蚀。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其中，所述抗蚀剂包括以下之一：光刻胶、电子束胶、有机物、电介质。