[发明专利]一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法在审
| 申请号: | 202011564153.0 | 申请日: | 2020-12-25 |
| 公开(公告)号: | CN114690537A | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
| 发明(设计)人: | 王博;朱晓亮 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F7/20;G01M11/02;G01M11/04 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明实施例公开了一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法。该检测方法包括:利用第一相移掩膜版,按照预设的曝光剂量在第一测试硅片上分别以不同的焦面位置进行曝光;检测不同焦面位置每个标记图形的相移误差,对相移误差和焦面位置的关系曲线进行拟合,并获得斜率slope’;计算每个标记图形对应的斜率slope与曝光剂量拟合直线的纵截距b’;最后根据每个标记图形的纵截距b’的离散度,确定狭缝照明的均匀性。本发明实施例可以解决现有照明均匀性测量只能采用离线测量的问题,不仅能够适应复杂多变的实际工况,还能快速判断是否需要重新校准垂向照明系统,简化测量流程,保证机台不停机,持续生产。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 相移 掩膜版 以及 光刻 狭缝 透光 均匀 检测 方法 | ||
【主权项】:
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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