[发明专利]一种相移掩膜版以及光刻机狭缝透光均匀性的检测方法

权利要求书

1.一种相移掩膜版，其特征在于，用于进行光刻机狭缝透光均匀性检测，所述相移掩膜版包括分别沿多行多列依次周期排布的多个标记图形；

所述标记图形包括周期排布且相互平行的多个遮光条；所述遮光条包括第一遮光条和第二遮光条，相邻的两个所述第一遮光条之间间隔至少一个所述第二遮光条；所述第一遮光条的一侧或两侧设有相移区。

2.根据权利要求1所述的相移掩膜版，其特征在于，透过所述相移区的光线发生π/4～π/2的相移。

3.根据权利要求1所述的相移掩膜版，其特征在于，所述第一遮光条和所述第二遮光条的长度和宽度均相等。

4.根据权利要求3所述的相移掩膜版，其特征在于，所述第一遮光条和所述第二遮光条等间距交替排布。

5.根据权利要求3所述的相移掩膜版，其特征在于，所述第一遮光条的长度大于4μm。

6.根据权利要求3所述的相移掩膜版，其特征在于，所述相移区的宽度等于相邻的两个所述遮光条的间距的1/8～1/2。

7.根据权利要求3所述的相移掩膜版，其特征在于，所述遮光条还包括第三遮光条，相邻的两个所述第一遮光条之间还间隔至少两个所述第三遮光条，所述第一遮光条和所述第二遮光条之间间隔至少一个所述第三遮光条；

所述第三遮光条的宽度等于所述第一遮光条的宽度，所述第三遮光条的长度小于所述第一遮光条的长度。

8.一种光刻机狭缝透光均匀性的检测方法，其特征在于，采用如权利要求1-7任一项所述的相移掩膜版进行检测，所述检测方法包括：

提供第一相移掩膜版和第一测试硅片；

利用所述第一相移掩膜版，按照预设的曝光剂量在所述第一测试硅片上的多个曝光区以不同的焦面位置进行曝光；其中，所述第一测试硅片包括第一预设数量的所述曝光区，且每个所述曝光区中均包括与所述第一相移掩膜版中的标记图形一一对应的且具有相移误差的曝光图形；所述第一测试硅片所有曝光区中标记图形的相移误差和焦面位置呈线性关系，且拟合直线的斜率为slope；同一标记图形的斜率slope与预设区间的曝光剂量呈线性关系，且拟合直线的斜率为a，预设的曝光剂量位于所述预设区间的曝光剂量中；

检测每个曝光区中每个标记图形的相移误差，对每个标记图形的相移误差和焦面位置的关系曲线进行拟合，并获得拟合直线的斜率slope’；

根据斜率slope’，斜率slope与曝光剂量Energy的拟合直线关系式Energy＝a×Slope+b，以及已知的预设的曝光剂量Energy’和每个标记图形对应的斜率slope与曝光剂量的拟合直线斜率a，计算每个所述标记图形对应的斜率slope与曝光剂量Energy拟合直线的纵截距b’；

根据第一测试硅片中每个所述标记图形的纵截距b’的离散度，确定狭缝照明的均匀性。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，利用所述第一相移掩膜版，按照预设的曝光剂量在多个所述第一测试硅片上分别以不同的焦面位置进行曝光之前，还包括：

提供第二相移掩膜版和第二测试硅片；

利用所述第二相移掩膜版，在所述第二测试硅片上的不同曝光区分别以不同的曝光剂量和不同的焦面位置进行曝光；其中，所述第二测试硅片包括第二预设数量的曝光区，且每个所述曝光区中均包括与所述第二相移掩膜版的中的标记图形一一对应的且具有相移误差的曝光图形；

检测每个所述曝光区中每个标记图形的相移误差，对相同曝光剂量下每个所述标记图形相移误差和焦面位置的关系曲线进行拟合，并获得拟合直线的斜率slope；

对不同标记图形对应的slope与曝光剂量的关系曲线进行拟合；

在斜率slope和曝光剂量的关系曲线中确定曝光剂量的预设区间，在所述预设区间中，斜率slope与曝光剂量呈线性关系，且拟合直线的斜率为a；

在所述预设区间中确定预设的曝光剂量。