[发明专利]监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法和结构在审
| 申请号： | 202011561928.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687565A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林聪;徐莹;徐屹东 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，涉及半导体集成电路制造技术，包括：提供一晶圆；进行有源层形成工艺，以在晶圆上行形成至少一有源层；进行栅氧化层形成工艺，以在晶圆上形成至少一栅氧化层；进行金属硅化物层形成工艺，以在晶圆上形成至少一金属硅化物层；进行大马士革形成工艺，以在晶圆上形成至少一金属层；以及进行栅氧化层的击穿电压测试以表征栅氧化层的完整性，如此为应对线上紧急问题的快速澄清，对平台产品栅氧化层完整性进行快速有效的监控，通过删减非关键光罩层次及工艺，成功缩减GOI验证批次流片周期，同时增加芯片中用以验证的面积以减少验证晶圆的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 监控 平台 氧化 完整性 可靠性 方法 结构 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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