[发明专利]监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法和结构在审
| 申请号： | 202011561928.9 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687565A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 林聪;徐莹;徐屹东 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 张彦敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 监控 平台 氧化 完整性 可靠性 方法 结构 | ||
1.一种监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，其特征在于，包括：
S1：提供一晶圆；
S2：进行有源层形成工艺，以在晶圆上行形成至少一有源层；
S3：进行栅氧化层形成工艺，以在晶圆上形成至少一栅氧化层；
S4：进行金属硅化物层形成工艺，以在晶圆上形成至少一金属硅化物层；
S5：进行大马士革形成工艺，以在晶圆上形成至少一金属层；以及
S6：进行栅氧化层的击穿电压测试以表征栅氧化层的完整性。
2.根据权利要求1所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，其特征在于，所述有源层形成工艺包括光刻、刻蚀及离子注入工艺。
3.根据权利要求1所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，其特征在于，所述栅氧化层形成工艺包括栅氧化层沉积工艺和GOI注入工艺。
4.根据权利要求1所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，其特征在于，所述金属硅化物层形成工艺包括硅形成工艺、金属层形成工艺及退火工艺。
5.根据权利要求1所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，其特征在于，所述有源层形成工艺、所述栅氧化层形成工艺、所述金属硅化物层形成工艺及所述大马士革形成工艺共形成8层结构。
6.根据权利要求5所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的方法，其特征在于，所述有源层形成工艺、所述栅氧化层形成工艺、所述金属硅化物层形成工艺及所述大马士革形成工艺共形成仅8层结构。
7.一种监控平台栅氧化层完整性可靠性的结构，其特征在于，包括：
至少一有源层，所述至少一有源层由有源层离子注入工艺形成；
至少一栅氧化层，所述至少一栅氧化层由沉积工艺和GOI注入工艺形成；
至少一金属硅化物层，所述至少一金属硅化物层由硅形成工艺、金属层形成工艺及退火工艺以使硅与金属反应而形成；以及
至少一金属层，所述金属层由大马士革形成工艺。
8.根据权利要求7所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的结构，其特征在于，所述至少一有源层、所述至少一栅氧化层以及所述至少一金属硅化物层共计8层。
9.根据权利要求7所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的结构，其特征在于，监控平台栅氧化层完整性可靠性的结构仅具有共计8层的所述至少一有源层、所述至少一栅氧化层以及所述至少一金属硅化物层。
10.根据权利要求7所述的监控平台栅氧化层完整性可靠性的结构，其特征在于，所述监控平台栅氧化层完整性可靠性的结构设置在晶圆的切割道上。
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