[发明专利]具有外延生长的半导体沟道的三维存储器件及其形成方法有效
| 申请号： | 202011558704.2 | 申请日： | 2019-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN112635479B | 公开（公告）日： | 2023-09-19 |
| 发明（设计）人： | 朱宏斌 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/20 | 分类号： | H10B41/20;H10B43/20;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 公开了3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，一种三维(3D)存储器件包括衬底、位于衬底上方且包括交替的导电层和电介质层的存储堆叠体以及垂直延伸穿过存储堆叠体的存储器串。存储器串包括位于该存储器串的下部中的单晶硅插塞、位于单晶硅插塞上方并且沿该存储器串的侧壁的存储膜、以及位于存储膜之上并且沿存储器串的侧壁的单晶硅沟道。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 外延 生长 半导体 沟道 三维 存储 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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