[发明专利]提高常关型GaN HEMT阈值电压一致性的方法及器件结构

摘要

本发明公开一种提高常关型GaN HEMT阈值电压一致性的方法及器件结构，属于半导体器件及制造领域。提供Si衬底，在Si衬底的表面依次形成AlxGa1‑xN缓冲层、GaN沟道层、AlyGa1‑yN势垒层、AlzGa1‑zN中和层；刻蚀AlzGa1‑zN中和层，形成用于制作栅极的凹槽；在AlzGa1‑zN中和层的表面分别形成源极、栅极和漏极。AlzGa1‑zN中和层产生的极化电荷可以中和AlxGa1‑xN缓冲层产生的极化电荷，使常关型GaN HEMT器件的阈值电压对栅极下方区域的AlGaN厚度变化不敏感，从而提高常关型GaN HEMT器件阈值电压的一致性，降低了工艺流程中对于凹槽刻蚀深度控制的要求。