[发明专利]Ⅲ族氮化物模板的制备方法有效
| 申请号： | 202011554983.5 | 申请日： | 2020-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN112687523B | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 何晨光;张康;吴华龙;贺龙飞;陈志涛;赵维;廖乾光;刘云洲 | 申请（专利权）人： | 广东省科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京商专永信知识产权代理事务所(普通合伙) 11400 | 代理人： | 李彬彬;张函 |
| 地址： | 510651 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种III族氮化物模板的制备方法，包括：在异质衬底上形成混合极性III族氮化物的成核层，成核层中含有N极性III族氮化物和金属极性III族氮化物；在成核层上形成混合极性III族氮化物的生长层，生长层中包含金属极性III族氮化物晶柱和N极性III族氮化物晶柱，且金属极性III族氮化物晶柱高于N极性III族氮化物晶柱；在生长层的金属极性III族氮化物晶柱的上表面通过横向外延形成金属极性III族氮化物的合拢层；形成成核层和生长层的氮源和III族金属源的摩尔比均大于500∶1，形成合拢层的氮源和III族金属源的摩尔比小于500∶1。本申请的方法无需额外增加腐蚀工序就可以在模板中引入微小孔洞，提高了III族氮化物的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 模板 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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