[发明专利]用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法在审
| 申请号： | 202011544754.5 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN114678246A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 王智昊;吴磊 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 徐雯琼;张静洁 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种用于电容耦合等离子体处理器的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述阻抗特性测量装置包括：上接触板和下接触板，其中上接触板用于与电容耦合等离子处理器的气体喷淋头下表面接触，下接触板用于与所述电容耦合等离子处理器中的静电夹盘上表面接触；至少一个弹性导电部位于所述上接触板和下接触板之间，所述弹性导电部提供弹力，使得阻抗特性测量装置在进行电容耦合等离子处理器阻抗特性曲线测量时，上、下接触板的间距被压缩后分别与气体喷淋头和静电夹盘紧密接触。实现不点等离子精确测量等离子处理器阻抗特性曲线。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 电容 耦合 等离子 处理器 阻抗 特性 测量 装置 方法 | ||
【主权项】：
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