[发明专利]用于电容耦合等离子处理器阻抗特性测量的测量装置和方法

权利要求书

1.一种用于电容耦合等离子体处理器的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述阻抗特性测量装置包括：

上接触板和下接触板，其中上接触板用于与电容耦合等离子处理器的气体喷淋头下表面接触，下接触板用于与所述电容耦合等离子处理器中的静电夹盘上表面接触；

至少一个弹性导电部位于所述上接触板和下接触板之间，所述弹性导电部提供弹力和低阻抗导电路径，使得阻抗特性测量装置在进行电容耦合等离子处理器阻抗特性曲线测量时，上、下接触板的间距被压缩后分别与气体喷淋头和静电夹盘紧密接触。

2.如权利要求1所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述上、下接触板由绝缘材料制成，且厚度为0.1-1mm，或者由半导体材料制成，且厚度为0.6-3mm。

3.如权利要求1所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述弹性导电部包括提供弹力的弹性支撑件和提供导电通路的导电接触装置。

4.如权利要求3所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述导电接触装置包括安装在上或下接触板的接触头和位于相对位置接触板的导电夹头，在所述上、下接触板被压缩时，所述接触头被插入所述导电夹头中形成稳定的电连接。

5.如权利要求3所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述上、下接触板为圆盘形，包括多个弹性导电部，所述多个弹性导电部在所述上接触板和下接触板不同方位角上间隔设置。

6.如权利要求5所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述多个弹性导电部上设置有电流检测装置。

7.如权利要求1所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述下接触板覆盖静电夹盘上表面超过1/2区域。

8.如权利要求1所述的阻抗特性测量装置，其特征在于，所述阻抗特性测量装置还包括一个接触环围绕在所述下接触板外围，所述接触环与电容耦合等离子处理器中的聚焦环位置对应，且所述接触环通过弹性导电部与所述上接触板连接。

9.一种电容耦合等离子处理器，所述电容耦合等离子处理器包括：

腔体，腔体内包括一基座，基座上设置有静电夹盘用于固定待处理基片；顶盖，顶盖下方设置有气体喷淋头；至少一射频电源连接到所述基座或者气体喷淋头，在气体喷淋头下方和基座上方形成等离子体用于对基片进行处理；其中包括至少两个零部件暴露于所述等离子体，一个阻抗特性测量装置设置于所述两个零部件之间的间隙中，所述阻抗特性测量装置包括第一和第二接触板，所述第一和第二接触板之间包括至少一个弹性导电部，使得两个接触板分别贴合到所述两个零部件的表面，并提供导电路径。

10.一种电容耦合等离子处理器阻抗特性检测方法，其特征在于，包括检测步骤：

打开电容耦合等离子处理器顶盖；

放入权利要求1所描述的阻抗特性测量装置；

关闭所述等离子处理器的顶盖，使得所述阻抗特性测量装置中的上接触板与气体喷淋头紧贴，下接触板与静电夹盘上表面紧贴；

抽出所述等离子处理器中的空气；

输入多个具有不同频率的射频信号到所述等离子处理器内的基座或者气体喷淋头，在等离子处理器的检测端检测反馈的射频信号，根据所述反馈的射频信号获取等离子处理器在所述多个频率下的阻抗特性。

11.一种电容耦合等离子处理器阻抗特性检测方法，其特征在于，所述方法还包括在放入阻抗特性测量装置前放置实验晶圆到静电夹盘上表面，再将所述阻抗特性测量装置放置在实验晶圆上。