[发明专利]成膜装置及电子器件的制造方法有效
| 申请号： | 202011543657.4 | 申请日： | 2020-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN113106387B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 青沼大介;菅原洋纪 | 申请（专利权）人： | 佳能特机株式会社 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/56;C23C14/24;C23C14/34;C23C16/04;C23C16/54;H10K71/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 韩卉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够抑制由磁力施加部件产生的掩模的吸附力降低的成膜装置及电子器件的制造方法。一种成膜装置，经由掩模在基板上对蒸镀材料进行成膜，具备：静电吸盘，其具有保持基板的基板保持面；掩模支承单元，其设置于所述基板保持面侧，用于保持掩模；磁力施加部件，其相对于所述静电吸盘设置于所述基板保持面的相反侧，用于向掩模施加磁力；以及冷却部件，其相对于所述静电吸盘设置于所述基板保持面的相反侧，用于冷却基板，其中，在与所述基板保持面交叉的交叉方向上，所述磁力施加部件和所述冷却部件重叠地配置。 | ||
| 搜索关键词： | 装置 电子器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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