[发明专利]一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法有效
| 申请号： | 202011534616.9 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112670197B | 公开（公告）日： | 2023-07-28 |
| 发明（设计）人： | 王永刚;刘智辉;张鹏;刘志远;王明伟;倪雷;陈冬卅 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十九研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江联合专利商标代理有限公司 23213 | 代理人： | 杨晓辉 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，涉及一种ICP工艺对微小尺寸刻蚀深度及均匀性的检测方法。解决了现有检测ICP工艺刻蚀微小尺寸硅微结构的深度及均匀性的方法存在测量误差大，不方便连续进行刻蚀，费时费力的问题。本发明确定对晶圆背面的腐蚀深度；根据确定的腐蚀深度，采用各向异性湿法将晶圆每个单元的背面腐蚀出54.74°的斜坡结构；通过双面光刻对准技术，将待刻蚀区域与斜坡结构进行对准；在晶圆待刻蚀区域，采用ICP工艺进行固定线宽结构刻蚀，没有新的刻透结构产生，利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度，计算ICP工艺在该宽度时刻蚀的均匀性。本发明适用于检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 icp 工艺 微小 尺寸 刻蚀 深度 均匀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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