[发明专利]一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法

权利要求书

1.一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，其特征在于，该方法的具体步骤为：

步骤一、根据ICP工艺刻蚀线条的深宽比规律和待刻蚀图形线条的宽度，确定对晶圆背面的腐蚀深度；

步骤二、根据步骤一确定的腐蚀深度，采用各向异性湿法将晶圆每个单元的背面腐蚀出54.74°的斜面；

步骤三、通过双面光刻对准技术，将待刻蚀区域与斜面相对应；

步骤四、在晶圆待刻蚀区域，采用ICP工艺进行固定线宽结构刻蚀，刻蚀完成后，观察晶圆背面的斜面是否有刻的透线条，若是，则执行步骤五，否则，继续刻蚀直到有刻透结构产生，执行步骤五；

步骤五、继续刻蚀时间T后，判断是否有新的刻透结构产生，若有，继续刻蚀时间T，再次判断是否有新的刻透结构产生，直至时间T后没有新的刻透结构产生，利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度；

利用最后出现的刻透结构对应的刻蚀深度计算ICP工艺在该刻蚀宽度时的最大深度的方法为：

其中，N为待刻蚀区域从对应斜面底角位置的线条到最后一个刻透的线条个数，L_线条为线条宽度，L_间距为线条间距，H_刻蚀为刻蚀深度，H_片厚为晶圆厚度；

步骤六、利用不同晶圆单元线条的刻蚀深度，计算ICP工艺在该宽度时刻蚀的均匀性。

2.根据权利要求1所述的一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，其特征在于，步骤一中所述根据ICP工艺刻蚀线条的深宽比规律，确定对晶圆背面的腐蚀深度的方法为：

根据ICP工艺刻蚀线条的深宽比规律，预估待检测线条的刻蚀深度的最短距离，令晶圆背面的腐蚀深度＝晶圆的厚度-预估的待检测线条的刻蚀深度的最短距离。

3.根据权利要求2所述的一种检测ICP工艺微小尺寸刻蚀深度及均匀性的方法，其特征在于，步骤六中利用不同晶圆单元线条的刻蚀深度，计算ICP工艺在该深宽比刻蚀时的均匀性方法为：

利用晶圆不同单元最后刻透线条A和线条B，对刻蚀深度差H_AB进行计算：

其中，H_AB为A线条和B线条之间刻蚀的深度差，H_A为A线条的刻蚀深度，H_B是B线条的刻蚀深度；当刻蚀深度差H_AB为0时均匀性最好。