[发明专利]一种提高斜面刻蚀良率的方法在审
| 申请号： | 202011531146.0 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112652530A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 吕相林 | 申请（专利权）人： | 联合微电子中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/67 |
| 代理公司： | 江苏坤象律师事务所 32393 | 代理人： | 赵新民 |
| 地址： | 401332 重庆*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种提高斜面刻蚀良率的方法，属于半导体制造技术领域，所述提高斜面刻蚀良率的方法，包括以下步骤：步骤一：提供一带膜层的晶圆；步骤二：旋转所述晶圆，对以晶圆中心为圆心、不大于晶圆半径80%以内的膜层喷去离子水形成水性保护膜；步骤三：对所述晶圆边缘区域的膜层喷化学溶液进行刻蚀，直至晶圆边缘区域的膜层被刻蚀干净。本发明提供的提高斜面刻蚀良率的方法，能够减少对晶圆边缘区域的膜层进行斜面刻蚀时，化学溶液反溅对晶圆中心区域膜层的损坏，从而提高斜面刻蚀后的晶圆良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 斜面 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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