[发明专利]一种二氧化硅靶坯的制备方法有效
| 申请号： | 202011529734.0 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112456989B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;边逸军;潘杰;王学泽;江胜君 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/14 | 分类号： | C04B35/14;C04B35/64 |
| 代理公司： | 北京远智汇知识产权代理有限公司 11659 | 代理人： | 王岩 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种二氧化硅靶坯的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：(1)将二氧化硅粉末进行烘干，之后加入到烧结模具内进行夯实，得到生坯；(2)将步骤(1)得到的所述生坯进行热压烧结，除去磨具，得到所述二氧化硅靶坯；其中，所述热压烧结包括依次进行的抽真空、第一升温、第一保温、第二升温、第二保温、第三升温、第三保温、加压、保温保压和冷却。本发明提供的制备方法，通过对制备方法的改进，采用特定的热压烧结工艺，采用多次的升温保温交替进行使得制备得到的二氧化硅靶材有效降低封装材料的热膨胀系数、吸水率、成型收缩率及成本率，进一步地，还提高了封装材料的耐热性能、机械强度、介电性能及热导率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二氧化硅 制备 方法 | ||
【主权项】：
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