[发明专利]一种二氧化硅靶坯的制备方法

权利要求书

1.一种二氧化硅靶坯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）将二氧化硅粉末进行烘干，之后加入到烧结模具内进行夯实，得到生坯；

（2）将步骤（1）得到的所述生坯进行热压烧结，除去磨具，得到所述二氧化硅靶坯；

其中，所述热压烧结包括依次进行的抽真空、第一升温、第一保温、第二升温、第二保温、第三升温、第三保温、加压、保温保压和冷却；所述第一升温的终点温度为600-700℃；所述第一升温的升温速率为13-16℃/min；所述第一保温的保温温度为所述第一升温的终点温度；所述第一保温的时间为0.5-3h；所述第二升温的终点温度为900-1000℃；所述第二升温的升温速率为9-11℃/min；所述第二保温的终点温度为所述第二升温的终点温度；所述第二保温的时间为1-3h；所述第三升温的终点温度为1300-1400℃；所述第三升温的升温速率为4-7℃/min；所述第三保温的保温温度为所述第三升温的终点温度；所述第三保温的时间为1-3h；所述保温保压的保温温度为所述第三保温的保温温度。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述二氧化硅粉末的纯度为99-99.9999%。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述二氧化硅粉末的粒度为D501-500μm。

4.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述烘干的温度为50-300℃。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述烘干的时间为5-48h。

6.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述夯实进行1-5次。

7.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述夯实后生坯的平面度≤0.5mm。

8.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述抽真空的终点为烧结炉内的绝对真空度≤50Pa。

9.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加压的时间为1-4h。

10.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加压的终点压力为20-50MPa。

11.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述保温保压的时间为1-3h。

12.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷却在保护气氛下进行。

13.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷却中炉内的气压P为-0.1≤P≤-0.05MPa。

14.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷却的方式为随炉冷却。

15.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷却的终点为所述二氧化硅靶坯的温度≤100℃。