[发明专利]一种复合衬底及其制造方法在审
| 申请号： | 202011528158.8 | 申请日： | 2020-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN112652687A | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 至芯半导体（杭州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京华创智道知识产权代理事务所(普通合伙) 11888 | 代理人： | 彭随丽 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种复合衬底，属于半导体器件领域，包括衬底基板，所述衬底基板上交错分布有凹槽，凹槽中填充异质材料填充层，异质材料填充层上表面低于衬底基板上表面；衬底基板和异质材料填充层的折射率相异且异质材料填充层折射率小于4。本发明还提供一种复合衬底制造方法。本发明能够提高外延层的晶体质量，降低位错；同时还可以改善衬底基板和外延层界面之间的折射率差，增加光出射的几率，保证光的提取效率，从而提升亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 复合 衬底 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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