[发明专利]一种复合衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种复合衬底，包括衬底基板(101)，其特征在于：所述衬底基板(101)上交错分布有凹槽，凹槽中填充异质材料填充层(102)，异质材料填充层(102)上表面低于衬底基板(101)上表面；衬底基板(101)和异质材料填充层(102)的折射率相异且异质材料填充层(102)折射率小于4。

2.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：有氮化物层(103)覆盖在衬底基板(101)和异质材料填充层(102)上；衬底基板(101)上覆盖的氮化物层(103)和异质材料填充层(102)上覆盖的氮化物层(103)厚度相同。

3.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述异质材料填充层(102)包含至少两种折射率相异的材料；异质材料填充层(102)的折射率由底至上单调增减。

4.如权利要求1所述的复合衬底，其特征在于：所述异质材料填充层(102)上表面和衬底基板(101)上表面的高度差为5～200nm。

5.一种复合衬底制造方法，其特征在于：在衬底基板(101)上生长一层SiO₂,制出穿过SiO₂的凹槽，往凹槽中填充异质材料填充层(102)，去除衬底基板(101)上表面的SiO₂，在衬底基板(101)和异质材料填充层(102)上生长氮化物层(103)。

6.如权利要求5所述的复合衬底制造方法，其特征在于：所述凹槽通过等离子刻蚀或激光切割制出。

7.如权利要求5所述的复合衬底制造方法，其特征在于：所述SiO₂用刻蚀液去除。

8.如权利要求5所述的复合衬底制造方法，其特征在于：所述SiO₂用等离子增强化学气相沉积设备形成。

9.如权利要求5所述的复合衬底制造方法，其特征在于：所述氮化物层(103)是利用三甲基铝、氢气和氨气生长得到AlN。

10.如权利要求7所述的复合衬底制造方法，其特征在于：所述刻蚀液为BOE溶液或HF溶液。