[发明专利]一种Si3有效

专利信息
申请号: 202011520575.8 申请日: 2020-12-21
公开(公告)号: CN112745126B 公开(公告)日: 2022-10-21
发明(设计)人: 吴超;李华冠;张旭;张博森;权静茹;霍可心 申请(专利权)人: 南京工程学院
主分类号: C04B35/582 分类号: C04B35/582;C04B35/81;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/638;C04B35/64
代理公司: 南京源古知识产权代理事务所(普通合伙) 32300 代理人: 马晓辉
地址: 211167 江苏省南京*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供了一种Si3N4晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板和制备方法。制备方法,包括以下步骤:第一步:将氮化铝粉体、氧化钇、聚氮硅烷纤维、聚乙二醇缩丁醛、聚乙二醇和乙醇进行混合,在水浴下得到混合料浆;第二步:将混合料浆放入聚四氟乙烯罐中球磨,第三步:将球磨后料浆进行过筛除泡后得到流延浆料;第四步:流延浆料经过流延工艺得到复相陶瓷胶片;第五步:将第四步得到的复相陶瓷胶片进入脱脂炉内进行排胶,得到复相陶瓷的素片;第六步:将第五步中得到的复相陶瓷的素片在氮气气氛下烧结,得到产品。本发明在尽可能不影响氮化铝热导率的条件下,借助晶须桥联、拔出和裂纹偏转作用,提高氮化铝陶瓷的断裂韧性,提高氮化铝基片的可靠性。
搜索关键词: 一种 si base sub
【主权项】:
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