[发明专利]一种Si3

权利要求书

1.一种Si₃N₄晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板的制备方法，包括以下步骤：第一步：将氮化铝粉体、氧化钇、聚氮硅烷纤维、聚乙二醇缩丁醛、聚乙二醇和乙醇进行混合，在水浴下得到混合料浆；第二步：将混合料浆放入聚四氟乙烯罐中球磨，第三步：将球磨后料浆进行过筛除泡后得到流延浆料；第四步：流延浆料经过流延工艺得到复相陶瓷胶片；第五步：将第四步得到的复相陶瓷胶片进入脱脂炉内进行排胶，得到复相陶瓷的素片；第六步：将第五步中得到的复相陶瓷的素片在氮气气氛下烧结，得到产品；

所述氮化铝粉体的平均粒径为0.9-1.1μm；所述氧化钇的平均粒径为0.4-0.6μm；所述聚氮硅烷纤维直径为0.9-1.1μm，长度平均为45-55μm；所述聚乙二醇缩丁醛的聚合度为2000~2100；所述聚乙二醇的分子量为3600-4400；

所述铝粉体、氧化钇、聚氮硅烷纤维、聚乙二醇缩丁醛、聚乙二醇和乙醇的质量比为：0.9-1.1 : 0.02-0.04 : 0.09-0.11 : 2.7-3.3 : 1.8-2.2 : 18-22；

在所述第一步中，所述水浴的温度为65-75℃，通过磁力搅拌得到混合料浆，

所述磁力搅拌为0.9-1.1小时；

在第二步中，所述球磨的时间为7-9小时，所述球磨的介质为氮化铝球；

在第五步中，所述排胶的温度为450-500℃，所述排胶时间为7-9小时，升温速率为27-33℃每小时；

在第六步中：所述烧结的条件为：1780℃-1830℃条件下烧结4-8h；

在烧结过程中，升温速度为：0-800℃升温速率为9-11℃/分钟，800℃时保温2-4h，800℃以上升温速率为4-6℃/分钟。

2.一种使用如权利要求1所述的方法制备的Si₃N₄晶须增韧的高导热AlN陶瓷基板，其特征在于：由氮化铝基体和氮化硅晶须构成，其中，氮化硅晶须的质量比2wt.%。