[发明专利]晶圆表面金属膜厚度测量方法有效
| 申请号： | 202011517574.8 | 申请日： | 2020-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN112635349B | 公开（公告）日： | 2022-04-12 |
| 发明（设计）人： | 李辉;梅双 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;高翠花 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种晶圆表面金属膜厚度测量方法，其包括如下步骤：获得常数参数：在晶圆表面的两个预设点处，获得声波在晶圆表面金属膜内传播的时间差；获得所述两个预设点处的表面高度差；将所述高度差及所述时间差的比值作为所述常数参数；晶圆表面金属膜厚度测量：在晶圆表面的测量点处，获得声波在晶圆表面金属膜内传播的时间，以所述时间与所述常数参数的乘积作为所述测量点处的金属膜厚度。本发明测量方法能够实时监测晶圆表面金属膜的厚度，且测量准确度高，大大提高了产能，节约了成本；并且，无需破坏晶圆即可获得两个预设点处的表面高度差，避免晶圆被破坏，提供了一种无损测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 金属膜 厚度 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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