[发明专利]坩埚及其制备方法以及硅酸钇镥晶体的制备方法在审
| 申请号： | 202011510733.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112725882A | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 狄聚青;朱刘;刘运连;薛帅;唐俊杰 | 申请（专利权）人： | 清远先导材料有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/10 | 分类号： | C30B15/10;C30B28/10;C30B29/22;B22F3/04;B22F3/10;B22F5/10 |
| 代理公司： | 北京五洲洋和知识产权代理事务所(普通合伙) 11387 | 代理人： | 张向琨 |
| 地址： | 511517 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本公开提供了一种坩埚及其制备方法以及硅酸钇镥晶体的制备方法。坩埚包括周壁和底壁，周壁从底壁的周边向上突出，周壁和底壁均具有贯通其壁厚的毛细管道。坩埚的制备方法包括：将不同粒径的坩埚材料的粉料混匀；冷等静压预成型后，惰性气氛预烧结；中频感应下烧结。硅酸钇镥晶体的制备方法：将所述坩埚放入周壁和底壁均为实心的大坩埚内，坩埚的底壁和大坩埚的底壁间隔开，在坩埚内外放置不同浓度的制备(Lu |
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| 搜索关键词： | 坩埚 及其 制备 方法 以及 硅酸 晶体 | ||
【主权项】：
暂无信息
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