[发明专利]坩埚及其制备方法以及硅酸钇镥晶体的制备方法

权利要求书

1.一种坩埚，包括周壁和底壁，周壁从底壁的周边向上突出，周壁和底壁围绕成收容腔，其特征在于，周壁和底壁均具有贯通其壁厚的毛细管道。

2.一种坩埚的制备方法，用于制备根据权利要求1所述的坩埚，包括步骤：

步骤一，将不同粒径的坩埚材料的粉料混匀；

步骤二，冷等静压预成型后，惰性气氛预烧结；

步骤三，中频感应下烧结。

3.根据权利要求2所述的坩埚的制备方法，其特征在于，

在步骤一中，坩埚材料的粉料的粒径分别为100目、200目和400目，对应的重量比为6:3:1。

4.根据权利要求2所述的坩埚的制备方法，其特征在于，

在步骤二中，冷等静压的压力为200MPa～400MPa。

5.根据权利要求1所述的坩埚的制备方法，其特征在于，

在步骤二中，惰性气氛预烧结的温度为1400℃～1600℃，预烧结的时间为10h～50h。

6.根据权利要求1所述的坩埚的制备方法，其特征在于，

在步骤三中，中频感应下烧结的温度为1900℃～2000℃，烧结的时间为5h～20h。

7.一种硅酸镥钇晶体的制备方法，其特征在于，将根据权利要求1所述的坩埚放入周壁和底壁均为实心的大坩埚内，坩埚的底壁和大坩埚的底壁间隔开，在坩埚的内外放置不同浓度的制备(Lu_xY_1-x)₂SiO₅的原料，坩埚内部的原料的钇组分含量高于坩埚外部的原料的钇组分含量，坩埚的内外放置的原料的浓度设定为实现晶体(Lu_xY_1-x)₂SiO₅的元素化学计量比生长生长(Lu_xY_1-x)₂SiO₅晶体，升温完全熔化，之后开始晶体生长。

8.根据权利要求7所述的硅酸钇镥晶体的制备方法，其特征在于，在坩埚内外的原料升温完全熔化后，所述坩埚内的硅酸镥钇晶体原料的液面和所述坩埚外的硅酸镥钇晶体原料的液面相平。

9.根据权利要求7所述的硅酸钇镥晶体的制备方法，其特征在于，所述坩埚的内部的硅酸钇镥晶体原料中的镥和钇的摩尔比为x²/(0.2+0.8x):1.25(1-x)，硅与氧的摩尔比设置为1:5，(Lu+Y)与Si的摩尔比为2:1。

10.根据权利要求7所述的硅酸钇镥晶体的制备方法，其特征在于，所述坩埚外部的硅酸钇镥晶体原料中的镥和钇的摩尔比为x:(1-x)，硅与氧的摩尔比设置为1:5，(Lu+Y)与Si的摩尔比为2:1。