[发明专利]一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法有效
| 申请号： | 202011506665.1 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN112636002B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 温良恭;白中扬;李河霖 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学青岛研究院 |
| 主分类号： | H01Q15/00 | 分类号： | H01Q15/00;H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李青 |
| 地址： | 266100 山东省青*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法，包括：TFT单元；多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔与所述源/漏极电联接。该器件不仅易于实现可控超材料阵列，进而大面积生产可控超材料调控系统，与TFT工艺兼容性强、稳定性高，可以实现规模化生产，从而降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 tft 工艺 调谐 材料 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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