[发明专利]一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件及其制作方法

权利要求书

1.一种基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，包括：

TFT单元，包括衬底以及设置在所述衬底上的栅极和源/漏极；

多个导电层，形成在所述TFT单元上并且通过通孔与所述TFT单元的所述源/漏极电联接；以及

超材料单元，至少部分地形成在所述多个导电层中的一个或多个中并通过所述通孔与所述源/漏极电联接。

2.根据权利要求1所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，进一步包括：

TFT兼容电路，电联接到所述栅极以通过控制所述栅极的电压来对所述超材料单元的电磁响应特性进行调制。

3.根据权利要求2所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述TFT兼容电路包括：

数字化控制单元，控制所述TFT单元的截止与导通以对所述超材料单元的电磁响应特性进行数字化调制；和/或

模拟化控制单元，控制所述栅极的沟道电压以对所述超材料单元的电磁响应特性进行模拟化调制。

4.根据权利要求3所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

一个所述TFT单元对应一个或多个所述超材料单元。

5.根据权利要求1～4任一项所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述超材料单元为线状结构、十字结构、渔网结构、矩形环结构、圆形环结构、回字状结构、开口谐振环中的一种或多种。

6.根据权利要求1～4任一项所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述超材料单元由铝、铜、银、钴、钛、氧化铟锡、金、铁、铂、钼、铬、钨、镍中的一种或多种构成。

7.根据权利要求1所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述TFT单元为氧化物薄膜晶体管、非晶硅薄膜晶体管、有机薄膜晶体管和多晶硅薄膜晶体管中的一种或多种。

8.根据权利要求1所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件，其特征在于，

所述TFT单元的结构为顶栅顶接触型、顶栅底接触型、底栅顶接触型、底栅底接触型中的一种。

9.一种根据权利要求1～8任一项所述的基于TFT工艺的可调谐超材料器件的制作方法，其特征在于，包括：

制作TFT单元；

在TFT单元上形成多个导电层，使得所述多个导电层通过通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接；以及

部分地在所述多个导电层中的一个或多个导电层中形成超材料单元，使得所述超材料单元通过所述通孔与所述TFT单元的源/漏极电联接。