[发明专利]基于近场扫描的芯片表面电磁数据降噪方法在审
申请号: | 202011499241.7 | 申请日: | 2020-12-17 |
公开(公告)号: | CN112561821A | 公开(公告)日: | 2021-03-26 |
发明(设计)人: | 黄权;邵伟恒;方文啸;王磊;张航;黄云;路国光;阮建高;陈军 | 申请(专利权)人: | 中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室)) |
主分类号: | G06T5/00 | 分类号: | G06T5/00;G06K7/10 |
代理公司: | 北京市隆安律师事务所 11323 | 代理人: | 付建军 |
地址: | 511370 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于近场扫描的芯片表面电磁数据降噪方法,包括以下步骤:通过对芯片表面进行近场扫描得到电磁数据;对得到的电磁数据进行信号提取,得到电磁图像;对电磁图像进行局部均值估计和局部噪声方差估计;对电磁图像中的所有相似块的每个像素进行加权平均处理,得到真实图像的基础估计;使用基础估计对电磁图像进行维纳降噪,得到局部估计;使用加权平均对所有得到的局部估计进行聚合,计算出真实图像的最终估计,从而得到最终的降噪图像。本发明的方法能够针对近场扫描的复杂噪声进行有效地降噪。 | ||
搜索关键词: | 基于 近场 扫描 芯片 表面 电磁 数据 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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