[发明专利]一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备有效
| 申请号： | 202011476859.1 | 申请日： | 2020-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN112652664B | 公开（公告）日： | 2023-02-03 |
| 发明（设计）人： | 吴振华;甘维卓;张兆浩;张永奎;李俊杰;殷华湘;朱慧珑;郭鸿 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法、集成电路、电子设备。半导体器件可包括但不限于半导体衬底、纳米线沟道、金属栅、第一外延部、金属插层、第二外延部、栅极、源极以及漏极等。纳米线沟道形成于半导体衬底上，金属栅环绕设置于纳米线沟道周围。第一外延部形成于纳米线沟道上，金属插层环绕设置于第一外延部周围，第二外延部环绕设置于金属插层周围。栅极与金属栅连接，源极与第二外延部连接，漏极与半导体衬底连接。该集成电路包括本发明的半导体器件，电子设备包括本发明的半导体器件或集成电路。本发明能提供一种低亚阈值摆幅、高开关电流比的半导体晶体管，本发明提供的半导体晶体管具有开态电流高、漏电流低以及集成度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 集成电路 电子设备 | ||
【主权项】：
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