[发明专利]基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程有效
| 申请号： | 202011461702.1 | 申请日： | 2020-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN112573477B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 何金良;韩志飞;胡军;余占清 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;G01R3/00;G01R29/12 |
| 代理公司： | 北京清大紫荆知识产权代理有限公司 11718 | 代理人： | 彭一波 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，基于SOI晶片进行制备，包括以下步骤：刻蚀对准标记、离子注入及激活、湿法腐蚀体硅、释放欧姆接触区及薄膜表面、制备金属电极、体硅释放、埋氧层释放、器件硅释放、切割装配、封装。其有益效果是：设计针对基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，实现了传感器件的批量大规模生产，降低传感器件成本，同时保证了传感器的可靠性。工艺的优化保证了工艺步骤的最简化和生产周期的最小化。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 静电力 效应 微型 电场 传感 器件 制备 工艺流程 | ||
【主权项】：
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