[发明专利]基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程

权利要求书

1.一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，采用SOI晶片进行加工，所述SOI晶片包括器件硅层、埋氧层和体硅层，其特征在于，包括以下步骤：

离子注入及激活：首先在器件硅表面制备一层保护层，再选定合适的掺杂能量及掺杂剂量，使掺杂离子轰击器件硅实现半导体硅薄膜图形化的压阻部分掺杂，形成欧姆接触区，然后经过高温退火以激活离子掺杂区，同时在体硅表面形成一层氧化硅；

湿法腐蚀体硅：以图形化的氧化硅作为硬掩模，湿法腐蚀体硅，体硅保留一定的厚度；

释放欧姆接触区及薄膜表面：刻蚀器件硅表面的保护层，暴露出压阻掺杂欧姆接触区域以及自由振动薄膜区域；

制备金属电极：在器件硅表面蒸镀一层金属，先利用光刻技术再利用腐蚀或剥离技术图形化金属电极；

体硅释放：利用干法腐蚀的方法将剩余体硅去除；

埋氧层释放：利用ICP刻蚀技术将薄膜对应部分的埋氧层去除；

器件硅释放：利用刻蚀方法图形化释放器件硅，释放出硅弹簧，使薄膜可以自由振动。

2.根据权利要求1所述的一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，其特征在于，所述离子注入及激活步骤之前还包括刻蚀对准标记步骤，其中，利用光刻技术及ICP刻蚀技术在SOI表面刻蚀对准标记。

3.根据权利要求1所述的一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，其特征在于，所述器件硅释放步骤后还包括切割装配和封装步骤，

所述切割装配：利用激光切割方式将晶圆切割成小片，并进行装配，得到传感器件；

所述封装：将制备得到的传感器件进行打线封装。

4.根据权利要求1所述的一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，其特征在于，所述保护层为在器件硅表面通过热氧化的方式形成的一层氧化硅保护层。

5.根据权利要求1所述的一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，其特征在于，所述体硅保留厚度为30±1um。

6.根据权利要求1所述的一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，其特征在于，所述湿法腐蚀体硅步骤的湿法腐蚀采用KOH或TMAH。

7.根据权利要求1所述的一种基于静电力和压阻效应的微型电场传感器件的制备工艺流程，其特征在于，所述体硅释放步骤的干法腐蚀采用XeF₂气体。