[发明专利]一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块有效
| 申请号： | 202011461654.6 | 申请日： | 2020-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN112614928B | 公开（公告）日： | 2022-10-25 |
| 发明（设计）人： | 刘凌波;吴永庆;翟仁爽 | 申请（专利权）人： | 杭州大和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L23/12;H01L35/04;H01L35/32;H05K9/00 |
| 代理公司： | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人： | 郑汝珍 |
| 地址： | 310051 浙江省杭*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块。为了克服现有技术半导体制冷装置为传感器制冷时会产生干扰信号的问题；本发明采用包括依次固定连接设置的底座、多层半导体制冷片和屏蔽片；底座包括若干引脚，底座的引脚分别与外部电源连接，底座的引脚通过导线与多层半导体制冷片连接；多层半导体制冷片的各层之间相应位置的半导体颗粒串联；在半导体制冷片的冷面上设置屏蔽片，用于屏蔽半导体制冷片和底座对传感器的干扰信号。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 屏蔽 底座 深度 半导体 制冷 模块 | ||
【主权项】：
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