[发明专利]一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块

权利要求书

1.一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，包括依次固定连接设置的底座（8）、多层半导体制冷片和屏蔽片（1）；底座（8）包括若干引脚，底座（8）的引脚分别与外部电源连接，底座（8）的引脚通过导线（7）与多层半导体制冷片连接；多层半导体制冷片的各层之间相应位置的半导体颗粒串联；

所述的底座（8）的引脚包括上引脚（81）和下引脚（82），上引脚（81）嵌套在下引脚（82）上，上引脚（81）的下方设置有挡沿（84），挡沿（84）与底座（8）内的顶面之间设置有弹簧（84）；挡沿（84）与底座（8）的底面之间设置有用于抬起上引脚（81）的滑动卡座（85）。

2.根据权利要求1所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的底座（8）与多层半导体制冷片之间以及多层半导体制冷片和屏蔽片（1）之间通过焊锡焊接；所述的焊锡熔点在120~220℃之间，导热率在2.5~10W/（m·K）之间。

3.根据权利要求2所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的多层半导体制冷片与底座（8）之间的焊锡温度在200~220℃之间；屏蔽片（1）与多层半导体制冷片之间的焊锡温度在120~180℃之间。

4.根据权利要求1或2或3所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的屏蔽片（1）包括一体的固定部和遮挡部，固定部与多层半导体焊接，固定部通过遮挡部与底座之间形成屏蔽腔，多层半导体制冷片设置在屏蔽腔内，屏蔽腔内抽真空。

5.根据权利要求1所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的多层半导体制冷片各层的半导体颗粒串联成若干个制冷回路，每个制冷回路均引出导线分别与底座的引脚连接。

6.根据权利要求1所述的一种带屏蔽层及底座的深度半导体制冷模块，其特征在于，所述的滑动卡座（85）包括一体的卡接部和抬升部，卡接部与抬升部中间均设置有适配引脚宽度的容槽，卡接部与抬升部连接的另一端设置有卡扣，底座（8）底面设置有适配卡扣的卡槽和适配滑动卡座（85）滑动的滑槽，所述的抬升部呈高度逐渐上升的台状。