[发明专利]半导体装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 202011460737.3 申请日: 2020-12-11
公开(公告)号: CN113130481A 公开(公告)日: 2021-07-16
发明(设计)人: 杨松鑫;郑宗期;萧茹雄 申请(专利权)人: 台湾积体电路制造股份有限公司
主分类号: H01L27/088 分类号: H01L27/088;H01L21/8234
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国
地址: 中国台湾新竹市*** 国省代码: 台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 提供了半导体装置及其制造方法。在一实施方式中,半导体装置包括:一基板其包括一核心装置区域和一输入/输出装置(I/O)装置区域;在核心装置中的多个核心装置,多个核心装置中的各者包括沿着第一方向延伸的第一主动区域;以及在输入/输出装置区域中的多个第一输入/输出装置(I/O)晶体管,多个第一输入/输出装置(I/O)晶体管中的各者包括沿着第一方向延伸的第二主动区域。第一主动区域包括第一宽度其沿着垂直于第一方向的第二方向,并且第二主动区域包括第二宽度其沿着第二方向。第二宽度大于第一宽度。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司,未经台湾积体电路制造股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011460737.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top