[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一基板，其包括一核心装置区域和一输入/输出装置区域；

多个核心装置，其在该核心装置区域中，所述多个核心装置中的各者包括一第一主动区域其沿着一第一方向延伸；以及

多个第一输入/输出晶体管，其在该输入/输出装置区域中，所述多个第一输入/输出晶体管中的各者包括一第二主动区域其沿着该第一方向延伸，

其中，该第一主动区域包括一第一宽度其沿着垂直于该第一方向的一第二方向，并且该第二主动区域包括一第二宽度其沿着该第二方向，

其中该第二宽度大于该第一宽度。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，其中该第二宽度与该第一宽度的一比率介于2和600之间。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

其中所述多个核心装置在一第一电压下操作，

其中所述多个输入/输出晶体管在一第二电压下操作，

其中该第二电压与该第一电压的一比率介于3和10之间。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

一第一栅极结构其设置在该第一主动区域上方；以及

一第二栅极结构其设置在该第二主动区域上方，

其中该第一栅极结构包括设置在该第一主动区域上的一第一界面层，

其中该第二栅极结构包括设置在该第二主动区域上一第二界面层，

其中该第一界面层的一厚度基本上类似于该第二界面层的一厚度。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

多个第二输入/输出晶体管，所述多个第二输入/输出晶体管中的各者包括一第三主动区域其沿着该第一方向延伸，

其中该第三主动区域包括一第三宽度其沿着该第二方向，

其中，该第三宽度与该第一宽度基本上相同。

6.一种半导体装置，其特征在于，包含：

一基板；

多个核心装置其在该基板上方，所述多个核心装置中的各者包括一第一主动区域其沿着一第一方向延伸；

多个第一输入/输出晶体管其在该基板上方，所述多个输入/输出晶体管中的各者包括一第二主动区域其沿着该第一方向延伸；以及

多个第二输入/输出晶体管其在该基板上方，所述多个第二输入/输出晶体管中的各者包括一第三主动区域其沿着该第一方向延伸，

其中该第一主动区域包括一第一宽度其沿着垂直于该第一方向的一第二方向，该第二主动区域包括一第二宽度其沿着该第二方向，并且该第三主动区域包括一第三宽度其沿着该第二方向，

其中该第一宽度等于该第二宽度，

其中该第三宽度大于该第一宽度。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，还包含：

一第一栅极结构，其设置在该第一主动区域上方并且沿着该第二方向延伸；

一第二栅极结构，其设置在该第二主动区域上方并沿着该第二方向延伸；以及

一第三栅极结构，其设置在该第三主动区域上方并且沿着该第二方向延伸，

其中该第一栅极结构包括一第一界面层其设置在该第一主动区域上，

其中该第二栅极结构包括一第二界面层其设置在该第二主动区域上，

其中该第三栅极结构包括一第三界面层其设置在该第三主动区域上，

其中该第一界面层的一厚度与该第三界面层的一厚度基本上相似，

其中该第二界面层的一厚度大于该第一界面层的该厚度。

8.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

其中所述多个核心装置在一第一电压下操作，

其中所述多个第一输入/输出晶体管在一第二电压下操作，

其中所述多个第二输入/输出晶体管在一第三电压下操作，

其中该第三电压大于该第二电压并且该第二电压大于该第一电压。