[发明专利]适用于半导体及显示面板的无氰化学沉金溶液有效
| 申请号： | 202011454923.6 | 申请日： | 2020-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN112593220B | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 王江锋;姚吉豪 | 申请（专利权）人： | 深圳市创智成功科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/44 | 分类号： | C23C18/44 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518116 广东省深圳市宝安区新*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种适用于半导体及显示面板的无氰化学沉金溶液，由以下成分组成：无氰金盐，以Au离子的含量计为4～5g/L、络合剂20～100g/L、还原剂2‑5g/L、界面活性剂0.05～0.2g/L、缓冲剂30‑60g/L，稳定剂0.2‑5mg/L，用硫酸或者氢氧化钾调节pH至7～9，余量为水，操作温度50‑90℃。该发明得到的金镀层具有良好的附着性好，镀层均匀，沉积速率快，镀液稳定。同时本发明的无氰化学沉金溶液不使用氰化金钾类高毒物质，不含氰根，减少对操作人员的健康影响和工作环境的安全隐患，还大大减少了废水处理的负担和影响。 | ||
| 搜索关键词： | 适用于 半导体 显示 面板 氰化 学沉金 溶液 | ||
【主权项】：
暂无信息
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
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