[发明专利]一种晶硅太阳能电池表面钝化工艺

摘要

本发明提供了一种晶硅太阳能电池表面钝化工艺，过程为：设定特气柜中的气体比例，控制SiH4与NH3体积比为1.5‑2:1，并控制进入工作腔内的气体压力在20‑25Pa之间；设定工作腔中，衬底托台的加热温度为220℃，调整射频频率在200‑230KHz之间；将洁净的基片送至工作腔，置于衬底托台上加热；运行工艺，完成对电池表面钝化。该钝化工艺中，通过控制气体比例、气体压力，使工作腔内维持一定的离子浓度；通过控制衬底托台的加热温度，可避免基片产生裂痕同时利于钝化膜在基片上生长；通过控制射频频率，使工作腔内的离子能够均匀的生长在基片表面，提高基片表面钝化层的均匀性，进而达到抑制基片表面缺陷的优点。